單晶硅制絨設備

　　制絨，光伏行業術語，處理太陽能級硅片的一種工藝方法，硅太陽能電池片生產的一道工序，單晶硅片在一定濃度范圍的堿溶液中被腐蝕時是各向異性的，不同晶向上的腐蝕速率不一樣，不管是單晶硅片還是多晶硅片，都可以用酸或者堿來處理。無論用哪種方法處理，一般情況下，用堿處理是為了得到金字塔狀絨面；用酸處理是為了得到蟲孔狀絨面。不管是哪種絨面，都可以提高硅片的陷光作用，但生產過程中容易產生灰塵，使得成品的表面不平整。

　　單晶硅制絨設備包括箱體，所述箱體的頂部安裝有導柱，所述箱體的頂部一側安裝有限位塊，所述箱體的一側安裝有顯示器，所述顯示器的下方安裝有連接塊，所述連接塊的下方安裝有操作臺，所述顯示器的一側安裝有把手，所述箱體的一側安裝有連接管，所述連接管的另一端安裝有除塵器，所述除塵器的下方安裝有電動機，所述箱體的一側安裝有觀察窗口，所述箱體的一側開有散熱孔，所述箱體的底部四周安裝有支撐柱。

　　非晶硅(a-Si)太陽電池是在玻璃(glass)襯底上沉積透明導電膜(TCO)，然后依次用等離子體反應沉積p型、i型、n型三層a-Si，接著再蒸鍍金屬電極鋁(Al).光從玻璃面入射，電池電流從透明導電膜和鋁引出，其結構可表示為glass/TCO/pin/Al，還可以用不銹鋼片、塑料等作襯底。
硅材料是目前太陽電池的主導材料，在成品太陽電池成本份額中，硅材料占了將近40%，而非晶硅太陽電池的厚度不到1μm，不足晶體硅太陽電池厚度的1/100，這就大大降低了制造成本，又由于非晶硅太陽電池的制造溫度很低(～200℃)、易于實現大面積等優點，使其在薄膜太陽電池中占據首要地位，在制造方法方面有電子回旋共振法、光化學氣相沉積法、直流輝光放電法、射頻輝光放電法、濺謝法和熱絲法等。特別是射頻輝光放電法由于其低溫過程(～200℃)，易于實現大面積和大批量連續生產，現成為國際公認的成熟技術。在材料研究方面，先后研究了a-SiC窗口層、梯度界面層、μC-SiC p層等，明顯改善了電池的短波光譜響應.這是由于a-Si太陽電池光生載流子的生成主要在i層，入射光到達i層之前部分被p層吸收，對發電是無效的.而a-SiC和μC-SiC材料比p型a-Si具有更寬的光學帶隙，因此減少了對光的吸收，使到達i層的光增加；加之梯度界面層的采用，改善了a-SiC/a-Si異質結界面光電子的輸運特性.在增加長波響應方面，采用了絨面TCO膜、絨面多層背反射電極(ZnO/Ag/Al)和多帶隙疊層結構，即glass/TCO/p1i1n1/p2i2n2/p3i3n3/ZnO/Ag/Al結構.絨面TCO膜和多層背反射電極減少了光的反射和透射損失，并增加了光在i層的傳播路程，從而增加了光在i層的吸收.多帶隙結構中，i層的帶隙寬度從光入射方向開始依次減小，以便分段吸收太陽光，達到拓寬光譜響應、提高轉換效率之目的。在提高疊層電池效率方面還采用了漸變帶隙設計、隧道結中的微晶化摻雜層等，以改善載流子收集。